در ادامه مبحث Photoresistor ها که در مورد مقاومت نوري و فوتو ترانزيستورها گفتگو شد اکنون مي خواهيم مقدار مناسب مقاومت RL را بيابيم. قبل از شروع محاسبات ابتدا چند مشخصه يک فوتوترانزيستور را که در datasheet موجود است بررسي مي کنيم:

1. جريان کلکتور در تاريکي : Id (Collector Dark Current) مقدار معمولي آن در حدود چند صد نانوآمپر است، در مورد RS-05FS که بعدا معرفي خواهد شد حداکثر uA 0.2 است.

2. جريان نشتي : Ill (Leakage Current) مقدار متداول آن نيز در حدّ جريان تاريکي است.

3. جريان روشنايي : Il (Light Current) معمولا مقدار آن بسيار بيشتر از Id و Ill است.

اکنون مي توانيم مقدار مناسب RL را بيابيم:

در محاسبه RL ابتدا به مقدار حداکثر ولتاژ منطقي که از سنسور مي خواهيم توجه مي کنيم، اگر اين ولتاژ را با VIH  نشان دهيم، با توجه به اين نکته که در حالت تاريکي جرياني که از کلکتور فوتوترانزيستور مي گذرد Ill + Id است، بيشينه پتانسيل خروجي از اين قسمت , VOH , برابر است با:

اکنون اين ولتاژ بايد در رابطه زير صدق کند:

اين کران بالايي براي RL را يافتيم. در مورد هر سنسور ديگر با مراجعه به datasheet و با توجه به خواسته هايمان مي توانيم مدار مورد نياز را طراحي کنيم.

اکنون تعدادي از اين مشخصات و وابستگي آن ها را به يکديگر و به شرايط محيط در مورد سنسور RS-05FS که ساختاري مشابه آن چه گفته شد دارد مي بينيم:

مدارهاي تقويت کننده ساده:

اين موضوع که سنسورها در برابر تغييرات محيط عکس العمل نشان مي دهند، در بسياري از مواقع فوق العاده مفيد است، اما در برخي اوقات اين عکس العمل چندان محسوس نيست، در اين گونه موارد براي استفاده مناسب، از تقويت کننده هايي استفاده مي کنيم در بيشتر موارد با توجه به نوع کاربرد، از تقويت کننده هاي خطي استفاده مي کنيم.

شايد ساده ترين نوع اين تقويت کننده ها همان چيزي باشد که تحت عنوان دارلينگتون ديديم در شکل زير دو نوع از اين پل را مي بينيم، در قسمت  a  يک پل را با استفاده از ترانزيستور NPN و در قسمت b يک پل را با استفاده از ترانزيستور PNP مي بينيم:

علاوه بر اين، در مدارهاي تقويت کننده بسياري از تقويت کننده هاي عملياتي (op-amp) استفاده مي شود که دو نوع متداول آن را مي بينيم:

ادامه دارد...

تهيه و تنظيم: سيدخاموشي